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描述
Maximum implant energy - 160 keV Beam current range - 0.5 - 8mA Wafer sizes - 3", 4", 5" 6" capable End station - Manual load Automatic wafer handling - No AT4 Source - Standard Gas box - 4 ELB strings Vacuum - Dry pump + diffusion pump Control system - S
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大束流离子注入机
NV 10-160
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分类
离子注入
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